BSS127H6327 Infineon
Symbol Micros:
TBSS127
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 600Ohm; 21mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS127H6327XTSA2; BSS127S-7; [Obsolete: BSS127H6327XTSA1; BSS127L6327HTSA1; BSS127 E6327;] BSS127H6327; BSS127 H6327
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 600Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 21mA |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS127H6327XTSA2 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5935 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3200 | 0,7300 | 0,4850 | 0,4050 | 0,3770 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS127H6327XTSA2
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3770 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS127H6327XTSA2
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
69000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3770 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 600Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 21mA |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |