BSS131H6327XTSA1

Name: TBSS131 TBSS131
Brand: Infineon
SKU: TBSS131
Price: 0.229000 PLN
Availability: InStock

Symbol Micros: TBSS131

Obudowa: SOT23

Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 110mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS131H6327XTSA1; BSS131 H6327; BSS131;

Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	20Ohm
Maksymalny prąd drenu:	110mA
Maksymalna tracona moc:	360mW
Obudowa:	SOT23
Producent:	Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło:	240V
Typ tranzystora:	N-MOSFET

Producent: Infineon Symbol producenta: BSS131H6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa

Stan magazynowy:

2575 szt.

ilość szt.	5+	20+	100+	500+	3000+
cena netto (PLN)	1,0300	0,5230	0,3170	0,2510	0,2290

Producent: Infineon Symbol producenta: BSS131H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23

Magazyn zewnętrzny:

1500000 szt.

ilość szt.	3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,2290

Producent: Infineon Symbol producenta: BSS131H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23

Magazyn zewnętrzny:

573000 szt.

ilość szt.	3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,2290

Producent: Infineon Symbol producenta: BSS131H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23

Magazyn zewnętrzny:

243600 szt.

ilość szt.	100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,2412

Rezystancja otwartego kanału:	20Ohm
Maksymalny prąd drenu:	110mA
Maksymalna tracona moc:	360mW
Obudowa:	SOT23
Producent:	Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło:	240V
Typ tranzystora:	N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	20V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 150°C
Montaż:	SMD

Ilość szt.	5+	20+	100+	500+	2000+
cena netto (PLN)	0,9410	0,4750	0,2870	0,2270	0,2090