BSS131

Symbol Micros: TBSS131 c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; +/-20V; 14Ohm; 100mA; 360mW; -55°C~150°C; Odpowiedniki: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 H6327;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 14Ohm
Maksymalny prąd drenu: 100mA
Maksymalna tracona moc: 360mW
Obudowa: SOT23
Producent: HXY MOSFET
Maksymalne napięcie dren-źródło: 240V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: HXY MOSFET Symbol producenta: BSS131 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9590 0,4860 0,2950 0,2340 0,2130
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
150
Producent: YFW Symbol producenta: BSS131 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9590 0,4860 0,2950 0,2340 0,2130
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2024-08-10
Ilość szt.: 6000
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2024-07-30
Ilość szt.: 3000
Rezystancja otwartego kanału: 14Ohm
Maksymalny prąd drenu: 100mA
Maksymalna tracona moc: 360mW
Obudowa: SOT23
Producent: HXY MOSFET
Maksymalne napięcie dren-źródło: 240V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD