BSS131
Symbol Micros:
TBSS131 c
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; +/-20V; 14Ohm; 100mA; 360mW; -55°C~150°C; Odpowiedniki: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 H6327;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 14Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100mA |
| Maksymalna tracona moc: | 360mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | HXY MOSFET |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 240V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: HXY MOSFET
Symbol producenta: BSS131 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9590 | 0,4860 | 0,2950 | 0,2340 | 0,2130 |
Producent: YFW
Symbol producenta: BSS131 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9590 | 0,4860 | 0,2950 | 0,2340 | 0,2130 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 14Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100mA |
| Maksymalna tracona moc: | 360mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | HXY MOSFET |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 240V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |