BSS138 SOT23-3 CJ

Symbol Micros: TBSS138 CJ
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 3,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 220mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: CJ
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH Symbol producenta: BSS138 RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4770 0,1880 0,1100 0,0803 0,0734
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 3,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 220mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: CJ
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD