BSS138 SOT23 HT SEMI

Symbol Micros: TBSS138 HTSEMI
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2,5Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 340mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23
Producent: HT
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: HT SEMI Symbol producenta: BSS138 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
12000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2790 0,1080 0,0525 0,0418 0,0399
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 2,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 340mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23
Producent: HT
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 22V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD