BSS138 SOT23 LGE

Symbol Micros: TBSS138 LGE
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Transistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 3,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 220mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: LGE
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: LGE Symbol producenta: BSS138 RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
670 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4360 0,1720 0,1000 0,0734 0,0671
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: LGE Symbol producenta: BSS138 SOT23 RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4360 0,1720 0,1000 0,0734 0,0671
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 3,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 220mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: LGE
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 10V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta