BSS138BK,215
Symbol Micros:
TBSS138bk
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6,5Ohm; 360mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138BK,215; BSS138BK; BSS138BK.215;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 6,5Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 360mA |
Maksymalna tracona moc: | 420mW |
Obudowa: | SOT23-3 |
Producent: | NXP |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: NXP
Symbol producenta: BSS138BK,215 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
24280 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,9410 | 0,4470 | 0,2510 | 0,1910 | 0,1710 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSS138BK,215
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
78000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1710 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSS138BK,215
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
30000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1710 |
Rezystancja otwartego kanału: | 6,5Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 360mA |
Maksymalna tracona moc: | 420mW |
Obudowa: | SOT23-3 |
Producent: | NXP |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |