BSS138BKW NXP
Symbol Micros:
TBSS138bkw
Obudowa: SOT323
Transistor N-MOSFET; 60V; -/+20V; 1,6Ohm; 320mA; 260mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: BSS138BKW,115;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 1,6Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 320mA |
Maksymalna tracona moc: | 260mW |
Obudowa: | SOT323 |
Producent: | NXP |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
Rezystancja otwartego kanału: | 1,6Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 320mA |
Maksymalna tracona moc: | 260mW |
Obudowa: | SOT323 |
Producent: | NXP |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |