BSS138DW-7-F Diodes INCORPORATED
Symbol Micros:
TBSS138dw
Obudowa: SC70-6
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 3,5Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 200mA |
Maksymalna tracona moc: | 200mW |
Obudowa: | SC70-6 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 50V |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BSS138DW-7-F RoHS
Obudowa dokładna: SC70-6 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
135 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,2200 | 0,6680 | 0,4380 | 0,3960 | 0,3490 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BSS138DW-7-F
Obudowa dokładna: SC70-6
Magazyn zewnętrzny:
285000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,3490 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BSS138DW-7-F
Obudowa dokładna: SC70-6
Magazyn zewnętrzny:
117000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,3490 |
Rezystancja otwartego kanału: | 3,5Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 200mA |
Maksymalna tracona moc: | 200mW |
Obudowa: | SC70-6 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 50V |
Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |