BSS138DW-7-F Diodes INCORPORATED
Symbol Micros:
TBSS138dw
Obudowa: SC70-6
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 200mA |
| Maksymalna tracona moc: | 200mW |
| Obudowa: | SC70-6 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 50V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 200mA |
| Maksymalna tracona moc: | 200mW |
| Obudowa: | SC70-6 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 50V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |