BSS138PS

Symbol Micros: TBSS138PS TEC
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT363
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor Dual N-Channel MOSFET; 60V; +/-20V; 1,9Ohm; 300mA; 0,35W; -55°C~150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 1,9Ohm
Maksymalny prąd drenu: 300mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT363
Producent: TECH PUBLIC
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: MOSFET
Producent: TECH PUBLIC Symbol producenta: BSS138PS RoHS .NZ.. Obudowa dokładna: SOT363 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0400 0,5210 0,3100 0,2570 0,2310
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Rezystancja otwartego kanału: 1,9Ohm
Maksymalny prąd drenu: 300mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT363
Producent: TECH PUBLIC
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta