BSS138PW,115
Symbol Micros:
TBSS138pw
Obudowa: SOT323
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138PW,115; BSS138PW.115; BSS138PW NXP;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 320mA |
| Maksymalna tracona moc: | 310mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: NXP
Symbol producenta: BSS138PW RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
600 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6660 | 0,3160 | 0,1780 | 0,1350 | 0,1210 |
Producent: NXP
Symbol producenta: BSS138PW,115 RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6660 | 0,3160 | 0,1780 | 0,1350 | 0,1210 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSS138PW,115
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
244000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1210 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSS138PW,115
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
1981998 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1210 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSS138PW,115
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
1053000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1210 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 320mA |
| Maksymalna tracona moc: | 310mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |