BSS138W-7-F Diodes
Symbol Micros:
TBSS138w DIO
Obudowa: SOT323
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138W-7-F;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 200mA |
| Maksymalna tracona moc: | 200mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 50V |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BSS138W-7-F RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
6530 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5830 | 0,2770 | 0,1560 | 0,1180 | 0,1060 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BSS138W-7-F
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
5823000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1060 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BSS138W-7-F
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
630000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1060 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BSS138W-7-F
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
1098000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1060 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 200mA |
| Maksymalna tracona moc: | 200mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 50V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |