BSS159NH6327XTSA2

Symbol Micros: TBSS159n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8Ohm; 230mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS159NH6327; BSS159NH6327XTSA2; BSS159NH6906XTSA1; BSS159N; BSS159NH6327XTSA2;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 8Ohm
Maksymalny prąd drenu: 230mA
Maksymalna tracona moc: 360mW
Obudowa: SOT23
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: BSS159NH6327XTSA2 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,7200 1,1200 0,8050 0,7040 0,6600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Producent: Infineon Symbol producenta: BSS159NH6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: BSS159NH6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 8Ohm
Maksymalny prąd drenu: 230mA
Maksymalna tracona moc: 360mW
Obudowa: SOT23
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta