BSS192 smd
Symbol Micros:
TBSS192
Obudowa:
P-MOSFET 200mA 240V 1W 12Ω BSS192,115
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 12Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 200mA |
| Maksymalna tracona moc: | 1W |
| Obudowa: | SOT89 |
| Producent: | Philips |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 240V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSS192,135
Obudowa dokładna: SOT89
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6909 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSS192,115
Obudowa dokładna: SOT89
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6758 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSS192,115
Obudowa dokładna: SOT89
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6909 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 12Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 200mA |
| Maksymalna tracona moc: | 1W |
| Obudowa: | SOT89 |
| Producent: | Philips |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 240V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |