BSS225H6327 Infineon
Symbol Micros:
TBSS225
Obudowa: SOT89
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 45Ohm; 90mA; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS225H6327FTSA1; BSS225H6327XTSA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 45Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 90mA |
| Maksymalna tracona moc: | 1W |
| Obudowa: | SOT89 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS225H6327FTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT89 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
997 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,3600 | 1,4300 | 1,1000 | 0,9920 | 0,9440 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS225H6327FTSA1
Obudowa dokładna: SOT89
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9440 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS225H6327FTSA1
Obudowa dokładna: SOT89
Magazyn zewnetrzny:
25000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9440 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 45Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 90mA |
| Maksymalna tracona moc: | 1W |
| Obudowa: | SOT89 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |