BSS306NH6327 Infineon
Symbol Micros:
TBSS306n
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 93mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS306NH6327HTSA1; BSS306NH6327;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 93mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS306NH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3783 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0500 | 0,5540 | 0,4300 | 0,3970 | 0,3800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS306NH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
2217000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS306NH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
33000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 93mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |