BSS314PEH6327 Infineon
Symbol Micros:
TBSS314pe
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 230mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS314PEH6327XTSA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 230mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS314PEH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2335 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9070 | 0,5020 | 0,3330 | 0,2780 | 0,2590 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS314PEH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2590 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 230mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |