BSS806NH6327 Infineon
Symbol Micros:
TBSS806n
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 82mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS806NH6327XTSA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 82mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 2,3A |
Maksymalna tracona moc: | 500mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS806NH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,0800 | 0,5480 | 0,3320 | 0,2630 | 0,2400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS806NH6327 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,0800 | 0,5480 | 0,3320 | 0,2630 | 0,2400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS806NEH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,0800 | 0,5480 | 0,3320 | 0,2630 | 0,2400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS806NH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
5376000 szt.
ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS806NH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
96000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2400 |
Rezystancja otwartego kanału: | 82mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 2,3A |
Maksymalna tracona moc: | 500mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |