BSS806NEH6327XTSA1
Symbol Micros:
TBSS806ne
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 82mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS806NEH6327XTSA1; BSS806NEH6327;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 82mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS806NEH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0800 | 0,5430 | 0,3240 | 0,2680 | 0,2410 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS806NEH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
1808990 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2410 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS806NEH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
63000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2410 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 82mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |