BSS84

Symbol Micros: TBSS84 c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: BSS84-7-F;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 10Ohm
Maksymalny prąd drenu: 150mA
Maksymalna tracona moc: 357mW
Obudowa: SOT23
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Producent: HOTTECH Symbol producenta: BSS84 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
1190 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4410 0,1740 0,1010 0,0742 0,0678
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/18000
Producent: YFW Symbol producenta: BSS84 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
7000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4410 0,1740 0,1010 0,0742 0,0678
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 10Ohm
Maksymalny prąd drenu: 150mA
Maksymalna tracona moc: 357mW
Obudowa: SOT23
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD