BSS84
Symbol Micros:
TBSS84 c
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: BSS84-7-F;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 150mA |
Maksymalna tracona moc: | 357mW |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: HOTTECH
Symbol producenta: BSS84 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
1190 szt.
ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,4410 | 0,1740 | 0,1010 | 0,0742 | 0,0678 |
Producent: YFW
Symbol producenta: BSS84 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
7000 szt.
ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,4410 | 0,1740 | 0,1010 | 0,0742 | 0,0678 |
Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 150mA |
Maksymalna tracona moc: | 357mW |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |