BSS84
Symbol Micros:
TBSS84 YY
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 9,9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84-F2-0000HF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 9,9Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 170mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-04-20
Ilość szt.: 9000
| Rezystancja otwartego kanału: | 9,9Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 170mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |