BSS8402DW
Symbol Micros:
TBSS8402DW
Obudowa: SC70-6
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 60V/50V; 60V/50V; 20V; 13,5Ohm/10Ohm; 115mA/130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 13,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 130mA |
| Maksymalna tracona moc: | 200mW |
| Obudowa: | SC70-6 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BSS8402DW-7-F RoHS
Obudowa dokładna: SC70-6
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3900 | 0,7630 | 0,6000 | 0,5560 | 0,5330 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BSS8402DW-7-F RoHS KNP.
Obudowa dokładna: SC70-6 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3900 | 0,7630 | 0,6000 | 0,5560 | 0,5330 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BSS8402DW-7-F
Obudowa dokładna: SC70-6
Magazyn zewnetrzny:
225000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5330 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BSS8402DW-7-F
Obudowa dokładna: SC70-6
Magazyn zewnetrzny:
234000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5330 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 13,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 130mA |
| Maksymalna tracona moc: | 200mW |
| Obudowa: | SC70-6 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
| Typ tranzystora: | N/P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |