BSS84AK,215
Symbol Micros:
TBSS84ak
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 13,5Ohm; 180mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84AK,215; BSS84AK.215;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 13,5Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 180mA |
Maksymalna tracona moc: | 420mW |
Obudowa: | SOT23-3 |
Producent: | NXP |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: NXP
Symbol producenta: BSS84AK,215 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3700 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,6270 | 0,2980 | 0,1680 | 0,1270 | 0,1140 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSS84AK,215
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt.
ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1140 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSS84AK,215
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
777000 szt.
ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1140 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSS84AK,215
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
1038000 szt.
ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1140 |
Rezystancja otwartego kanału: | 13,5Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 180mA |
Maksymalna tracona moc: | 420mW |
Obudowa: | SOT23-3 |
Producent: | NXP |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |