BSS84AKS NXP
Symbol Micros:
TBSS84aks
Obudowa: SOT363
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 50V; 20V; 13,5Ohm; 160mA; 320mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84AKS,115;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 13,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 160mA |
| Maksymalna tracona moc: | 320mW |
| Obudowa: | SOT363 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Typ tranzystora: | 2xP-MOSFET |
Producent: NXP
Symbol producenta: BSS84AKS RoHS
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
400 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0100 | 0,5580 | 0,3710 | 0,3090 | 0,2880 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSS84AKS,115
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnętrzny:
9000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2880 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSS84AKS,115
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnętrzny:
42000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2880 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSS84AKS,115
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnętrzny:
15000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2880 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 13,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 160mA |
| Maksymalna tracona moc: | 320mW |
| Obudowa: | SOT363 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Typ tranzystora: | 2xP-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |