BSS84AKW,115
Symbol Micros:
TBSS84akw
Obudowa: SOT323
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 13,5Ohm; 150mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84AKW.115; BSS84AKW,115; BSS84AKW;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 13,5Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 150mA |
Maksymalna tracona moc: | 310mW |
Obudowa: | SOT323 |
Producent: | NXP |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: NXP
Symbol producenta: BSS84AKW,115 RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3600 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,5780 | 0,2740 | 0,1540 | 0,1170 | 0,1050 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSS84AKW,115
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
1164000 szt.
ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1050 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSS84AKW,115
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1050 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSS84AKW,115
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
942000 szt.
ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1050 |
Rezystancja otwartego kanału: | 13,5Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 150mA |
Maksymalna tracona moc: | 310mW |
Obudowa: | SOT323 |
Producent: | NXP |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |