BSS84PWH Infineon
Symbol Micros:
TBSS84pw INF
Obudowa: SOT323
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12Ohm; 150mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84PWH6327XTSA1; BSS84PWH6327; SP000917564;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 12Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 150mA |
| Maksymalna tracona moc: | 300mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS84PWH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15730 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7040 | 0,3340 | 0,1880 | 0,1430 | 0,1280 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS84PW H6327 RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7040 | 0,3340 | 0,1880 | 0,1430 | 0,1280 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS84PWH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
4995000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1280 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS84PWH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
150000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1280 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS84PWH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
13900 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1629 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 12Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 150mA |
| Maksymalna tracona moc: | 300mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |