BSS84W-7-F
Symbol Micros:
TBSS84w
Obudowa: SOT323
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 130mA |
| Maksymalna tracona moc: | 200mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 50V |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BSS84W-7-F RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8550 | 0,4340 | 0,2630 | 0,2080 | 0,1900 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BSS84W-7-F
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
1143000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1900 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BSS84W-7-F
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1900 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BSS84W-7-F
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 130mA |
| Maksymalna tracona moc: | 200mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 50V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |