BSS87H6327 Infineon
Symbol Micros:
TBSS87 INF
Obudowa: SOT89
Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 7,5Ohm; 260mA; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS87H6327FTSA1; BSS87H6327XTSA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 7,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 260mA |
| Maksymalna tracona moc: | 1W |
| Obudowa: | SOT89 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 240V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS87H6327FTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT89 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
237 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,1200 | 1,2800 | 0,9850 | 0,8890 | 0,8460 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS87H6327FTSA1
Obudowa dokładna: SOT89
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8460 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 7,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 260mA |
| Maksymalna tracona moc: | 1W |
| Obudowa: | SOT89 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 240V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |