BSZ075N08NS5ATMA1 INFINEON

Symbol Micros: TBSZ075n08ns5
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TSDSON08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 7.5mOhm; 40A; 69W; -55°C~150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 7,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 40A
Maksymalna tracona moc: 69W
Obudowa: TSDSON08
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 80V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: BSZ075N08NS5ATMA1 Obudowa dokładna: TSDSON08  
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt.
ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6290
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 7,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 40A
Maksymalna tracona moc: 69W
Obudowa: TSDSON08
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 80V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD