BU508AF iso
Symbol Micros:
TBU508af
Obudowa: TO 3Piso (SOT199)
Tranzystor NPN; 30; 34W; 700V; 8A; 7MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 34W |
| Częstotliwość graniczna: | 7MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30 |
| Producent: | Inchange Semiconductors |
| Obudowa: | TO 3Piso (SOT199) |
| Maksymalny prąd kolektora: | 8A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 700V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BU508AF RoHS
Obudowa dokładna: TO 3Piso (SOT199)
Stan magazynowy:
60 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 9,2300 | 7,3200 | 6,6200 | 6,2600 | 6,1500 |
| Moc strat: | 34W |
| Częstotliwość graniczna: | 7MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30 |
| Producent: | Inchange Semiconductors |
| Obudowa: | TO 3Piso (SOT199) |
| Maksymalny prąd kolektora: | 8A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 700V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |