BU508DF iso
Symbol Micros:
TBU508d iso c
Obudowa: TO 3Piso (SOT199)
Tranzystor NPN; 30; 34W; 700V; 8A; 7MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 34W |
| Częstotliwość graniczna: | 7MHz |
| Producent: | Inchange Semiconductors |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30 |
| Obudowa: | TO 3Piso (SOT199) |
| Maksymalny prąd kolektora: | 8A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 700V |
| Moc strat: | 34W |
| Częstotliwość graniczna: | 7MHz |
| Producent: | Inchange Semiconductors |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30 |
| Obudowa: | TO 3Piso (SOT199) |
| Maksymalny prąd kolektora: | 8A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 700V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |