BUK7M27-80EX

Symbol Micros: TBUK7m27-80ex
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: LFPAK33 (SOT1210)
rys. techniczny
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 80V; 20V; 68mOhm; 30A; 62W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 68mOhm
Maksymalny prąd drenu: 30A
Maksymalna tracona moc: 62W
Obudowa: LFPAK33 (SOT1210)
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 80V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 80V
Producent: NXP Symbol producenta: BUK7M27-80EX RoHS Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) karta katalogowa
Stan magazynowy:
4 szt.
ilość szt. 1+ 4+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 8,0600 6,3600 5,5000 5,1500 5,0400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4
Producent: Nexperia Symbol producenta: BUK7M27-80EX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210)  
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt.
ilość szt. 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,0400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Nexperia Symbol producenta: BUK7M27-80EX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210)  
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
ilość szt. 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,0400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 68mOhm
Maksymalny prąd drenu: 30A
Maksymalna tracona moc: 62W
Obudowa: LFPAK33 (SOT1210)
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 80V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 80V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD