BUK7M3R3-40H

Symbol Micros: TBUK7m3r3-40h
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: LFPAK33 (SOT1210)
rys. techniczny
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 7,2mOhm; 80A; 101W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: BUK7M3R3-40HX;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 7,2mOhm
Maksymalny prąd drenu: 80A
Maksymalna tracona moc: 101W
Obudowa: LFPAK33 (SOT1210)
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: NXP Symbol producenta: BUK7M3R3-40HX RoHS Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,0900 3,8900 3,2200 2,8200 2,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Producent: Nexperia Symbol producenta: BUK7M3R3-40HX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210)  
Magazyn zewnetrzny:
4500 szt.
ilość szt. 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Nexperia Symbol producenta: BUK7M3R3-40HX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210)  
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt.
ilość szt. 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 7,2mOhm
Maksymalny prąd drenu: 80A
Maksymalna tracona moc: 101W
Obudowa: LFPAK33 (SOT1210)
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD