BUK7M6R3-40EX
Symbol Micros:
TBUK7m6r3-40ex
Obudowa: LFPAK33 (SOT1210)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 40V; 20V; 12,5mOhm; 70A; 79W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 12,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 70A |
| Maksymalna tracona moc: | 79W |
| Obudowa: | LFPAK33 (SOT1210) |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 40V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BUK7M6R3-40EX RoHS
Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,9400 | 3,2800 | 2,7200 | 2,4500 | 2,3500 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BUK7M6R3-40EX
Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210)
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt.
| ilość szt. | 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,3500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 12,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 70A |
| Maksymalna tracona moc: | 79W |
| Obudowa: | LFPAK33 (SOT1210) |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 40V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |