BUK9M19-60EX
Symbol Micros:
TBUK9m19-60ex
Obudowa: LFPAK33 (SOT1210)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 10V; 43mOhm; 38A; 62W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 43mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 38A |
| Maksymalna tracona moc: | 62W |
| Obudowa: | LFPAK33 (SOT1210) |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BUK9M19-60EX RoHS
Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,6300 | 5,6400 | 4,9200 | 4,6800 | 4,4900 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BUK9M19-60EX
Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210)
Magazyn zewnetrzny:
4500 szt.
| ilość szt. | 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,4900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 43mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 38A |
| Maksymalna tracona moc: | 62W |
| Obudowa: | LFPAK33 (SOT1210) |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 10V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |