BUK9M52-40EX
Symbol Micros:
TBUK9m52-40ex
Obudowa: LFPAK33 (SOT1210)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 40V; 10V; 101mOhm; 17,6A; 31W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 101mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 17,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 31W |
| Obudowa: | LFPAK33 (SOT1210) |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 40V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BUK9M52-40EX RoHS
Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4 szt.
| ilość szt. | 1+ | 4+ | 20+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,8200 | 4,9600 | 4,0600 | 3,7100 | 3,5900 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BUK9M52-40EX
Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210)
Magazyn zewnetrzny:
4500 szt.
| ilość szt. | 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,5900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 101mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 17,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 31W |
| Obudowa: | LFPAK33 (SOT1210) |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 40V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 10V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |