BUK9M5R2-30EX
Symbol Micros:
TBUK9m5r2-30ex
Obudowa: LFPAK33 (SOT1210)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 30V; 10V; 9,8mOhm; 70A; 79W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 9,8mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 70A |
| Maksymalna tracona moc: | 79W |
| Obudowa: | LFPAK33 (SOT1210) |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 30V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BUK9M5R2-30EX RoHS
Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,6400 | 6,6100 | 5,8600 | 5,6100 | 5,4000 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BUK9M5R2-30EX
Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210)
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,4000 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BUK9M5R2-30EX
Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210)
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,4000 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 9,8mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 70A |
| Maksymalna tracona moc: | 79W |
| Obudowa: | LFPAK33 (SOT1210) |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 10V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |