BUL53B

Symbol Micros: TBUL53B
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor NPN; 50; 90W; 250V; 12A; 20MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 90W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 50
Częstotliwość graniczna: 20MHz
Producent: Semelab
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 12A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 250V
Producent: INCHANGE SEMICONDUCTORS Co.Ltd Symbol producenta: BUL53B RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 10,5300 8,7900 7,7800 7,3000 7,0200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Moc strat: 90W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 50
Częstotliwość graniczna: 20MHz
Producent: Semelab
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 12A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 250V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN