BUT11A ON SEMICONDUCTOR
Symbol Micros:
TBUT11a
Obudowa: TO220
Tranzystor NPN; 100W; 450V; 5A; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: | 100W |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | TO220 |
Maksymalny prąd kolektora: | 5A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 450V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BUT11A RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 30+ | 200+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 6,2500 | 4,3800 | 3,6100 | 3,3300 | 3,2900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BUT11A RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
145 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 30+ | 200+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 6,2500 | 4,3800 | 3,6100 | 3,3300 | 3,2900 |
Moc strat: | 100W |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | TO220 |
Maksymalny prąd kolektora: | 5A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 450V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |