BUZ11-NR4941
Symbol Micros:
TBUZ11
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 40mOhm; 30A; 75W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BUZ11-NR4941; BUZ11_NR4941; BUZ11;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 40mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 30A |
| Maksymalna tracona moc: | 75W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 50V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BUZ11-NR4941 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1558 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,6600 | 3,4200 | 2,7400 | 2,3500 | 2,2200 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BUZ11-NR4941
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
10230 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,2431 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 40mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 30A |
| Maksymalna tracona moc: | 75W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 50V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |