CPC3703C IXYS

Symbol Micros: TCPC3703c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT89
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor MOSFET N-CH; 1,1W; 250V; 360mA; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: CPC3703CTR;
Parametry
Moc strat: 1,1W
Producent: IXYS
Obudowa: SOT89
Maksymalny prąd kolektora: 360mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 250V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 125°C
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: IXYS Symbol producenta: CPC3703CTR RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 3,8600 2,5700 2,1300 1,9200 1,8400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Moc strat: 1,1W
Producent: IXYS
Obudowa: SOT89
Maksymalny prąd kolektora: 360mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 250V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 125°C
Typ tranzystora: N-MOSFET

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta