D44H8G

Symbol Micros: TD44H8G
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor NPN; 60; 2W; 60V; 10A; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 2W
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 10A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: D44H8G Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
250 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,9013
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 2W
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 10A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN