D45H11G
Symbol Micros:
TD45H11G
Obudowa: TO220
Tranzystor PNP; 60; 2W; 80V; 10A; 40MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: D45H11;
Parametry
| Moc strat: | 2W |
| Częstotliwość graniczna: | 40MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 60 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Obudowa: | TO220 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 10A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Producent: ST
Symbol producenta: D45H11 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,2800 | 3,1400 | 2,5200 | 2,1600 | 2,0400 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: D45H11G
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
500 szt.
| ilość szt. | 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,0400 |
| Moc strat: | 2W |
| Częstotliwość graniczna: | 40MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 60 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Obudowa: | TO220 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 10A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |