D45H8G
Symbol Micros:
TD45H8G
Obudowa: TO220
Tranzystor PNP; 60; 2W; 60V; 10A; 40MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 2W |
| Częstotliwość graniczna: | 40MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 60 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | TO220 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 10A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: D45H8G RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,6300 | 2,2800 | 1,7900 | 1,6900 | 1,5800 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: D45H8G
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
550 szt.
| ilość szt. | 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,5800 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: D45H8G
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
300 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,6901 |
| Moc strat: | 2W |
| Częstotliwość graniczna: | 40MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 60 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | TO220 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 10A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |