DGF30F65M2 DONGHAI

Symbol Micros: TDGF25f65m
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220iso
Trans IGBT ; 650V; 30V; 60A; 180A; 60W; 5,0V~7,0V; 48nC; -45°C~175°C;
Parametry
Ładunek bramki: 48nC
Maksymalna moc rozpraszana: 60W
Maksymalny prąd kolektora: 60A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 180A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 5,0V ~ 7,0V
Obudowa: TO220iso
Producent: Donghai
Producent: WXDH Symbol producenta: DGF30F65M2 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,3000 3,7100 2,9700 2,8800 2,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ładunek bramki: 48nC
Maksymalna moc rozpraszana: 60W
Maksymalny prąd kolektora: 60A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 180A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 5,0V ~ 7,0V
Obudowa: TO220iso
Producent: Donghai
Napięcie kolektor-emiter: 650V
Temperatura pracy (zakres): -45°C ~ 175°C
Napięcie bramka-emiter: 30V