30H10K DONGHAI

Symbol Micros: TDH30h10k
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5.5mOhm; 100A; 60W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: IRLR8726PBF, IRLR8726TRPBF, IRLR8726TRLPBF
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 5,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 100A
Maksymalna tracona moc: 60W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Donghai
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: WXDH Symbol producenta: 30H10K RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
282 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 352+ 1760+
cena netto (PLN) 1,2900 0,6900 0,5360 0,4920 0,4700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
352
Producent: WXDH Symbol producenta: 30H10K RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
148 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 40+ 148+ 592+
cena netto (PLN) 1,3100 0,8530 0,6280 0,5410 0,5030
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
148
Rezystancja otwartego kanału: 5,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 100A
Maksymalna tracona moc: 60W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Donghai
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta