DMC3028LSD Diodes
Symbol Micros:
TDMC3028LSD
Obudowa: SOIC08
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 45mOhm/41mOhm; 7,1A/7,4A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: DMC3028LSD-13; DMC3028LSDX-13;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 45mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,1W |
| Obudowa: | SOIC08 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N/P-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMC3028LSD RoHS
Obudowa dokładna: SOIC08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 2+ | 15+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,1300 | 1,1800 | 0,9320 | 0,8790 | 0,8510 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMC3028LSD-13
Obudowa dokładna: SOIC08
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8510 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 45mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,1W |
| Obudowa: | SOIC08 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N/P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |