DMG1012T-7

Symbol Micros: TDMG1012T-7

Obudowa: SOT523

Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 6V; 700mOhm; 630mA; 280mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: DMG1012TQ-7; DMG1012T-13;

Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	700mOhm
Maksymalny prąd drenu:	630mA
Maksymalna tracona moc:	280mW
Obudowa:	SOT523
Producent:	DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło:	20V
Typ tranzystora:	N-MOSFET

Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMG1012T-7 RoHS Obudowa dokładna: SOT523 karta katalogowa

Stan magazynowy:

19400 szt.

ilość szt.	5+	20+	100+	500+	3000+
cena netto (PLN)	0,5330	0,2450	0,1330	0,0996	0,0889

Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMG1012T-7 NA1..RoHS Obudowa dokładna: SOT523 karta katalogowa

Stan magazynowy:

89 szt.

ilość szt.	5+	20+	100+	500+	3000+
cena netto (PLN)	0,5330	0,2450	0,1330	0,0996	0,0889

Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMG1012T-7 Obudowa dokładna: SOT523

Magazyn zewnetrzny:

723000 szt.

ilość szt.	6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,1155

Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMG1012T-7 Obudowa dokładna: SOT523

Magazyn zewnetrzny:

1698000 szt.

ilość szt.	6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,1383

Towar w drodze

Planowany termin:
2025-06-13

Ilość szt.: 36000

Rezystancja otwartego kanału:	700mOhm
Maksymalny prąd drenu:	630mA
Maksymalna tracona moc:	280mW
Obudowa:	SOT523
Producent:	DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło:	20V
Typ tranzystora:	N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	6V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 150°C
Montaż:	SMD