DMG1012T-7
Symbol Micros:
TDMG1012T-7 c
Obudowa: SOT523
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 6V; 700mOhm; 630mA; 280mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: DMG1012TQ-7; DMG1012T-13; YFW1012T; Similar parts FS1012ET; Similar parts: HXY1012CI;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 700mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 630mA |
| Maksymalna tracona moc: | 280mW |
| Obudowa: | SOT523 |
| Producent: | YFW |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 700mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 630mA |
| Maksymalna tracona moc: | 280mW |
| Obudowa: | SOT523 |
| Producent: | YFW |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 6V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |