DMG1012UW-7 Diodes

Symbol Micros: TDMG1012uw
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT323
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 6V; 750mOhm; 1A; 290mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 750mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1A
Maksymalna tracona moc: 290mW
Obudowa: SOT323
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMG1012UW-7 RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
13500 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5940 0,2820 0,1590 0,1210 0,1080
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/9000
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMG1012UW-7 Obudowa dokładna: SOT323  
Magazyn zewnetrzny:
2838000 szt.
ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1185
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMG1012UW-7 Obudowa dokładna: SOT323  
Magazyn zewnetrzny:
4412 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9729
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 750mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1A
Maksymalna tracona moc: 290mW
Obudowa: SOT323
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 6V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta